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1)  intermediate semiconductor
居间带半导体
2)  semi-conducting tape
半导体带
3)  wide band gap semiconductor
宽禁带半导体
1.
β-Ga_2O_3 single crystals,the wide band gap semiconductor,were grown using floating zone technique.
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。
2.
InN and GaN are the most important optoelectronic materials of wide band gap semiconductors now.
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。
4)  narrow gap semiconductor
窄禁带半导体
5)  Nivo Semi-conductor
尼沃半导体带
6)  WBG semiconductor ZnO
宽带隙半导体ZnO
补充资料:宽禁带半导体(见半导体的能带结构)


宽禁带半导体(见半导体的能带结构)
wide gap semiconductor

  习一’平叼能带结构。‘J~正J“、二二,,Conauctor见半
  
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参考词条