1) ECR unbalanced magnetron sputtering
ECR非平衡磁控溅射
2) unbalanced magnetron sputtering
非平衡磁控溅射
1.
Characteristics of titanium-doped diamond-like carbon films deposited by unbalanced magnetron sputtering;
非平衡磁控溅射Ti掺杂类金刚石薄膜的基本特性
2.
The research on half-analytical method in calculating the magnetic field of unbalanced magnetron sputtering;
非平衡磁控溅射系统磁场的半解析法
3.
Effect of Al content on properties of Ti_(1-x)Al_xN hard film prepared by unbalanced magnetron sputtering;
Al含量对非平衡磁控溅射制备Ti_(1-x)Al_xN膜性能的影响
3) Magnetron/unbalanced
磁控溅射/非平衡
4) ECR magnetron sputtering
ECR磁控溅射
1.
The NiMn-Ga thin films were deposited on NaCl substrate via ECR magnetron sputtering process,of which the sputtering power is discussed.
本文使用ECR磁控溅射方法在N aC l晶片上制备出了N i-M n-G a薄膜,并对其制备溅射功率进行了探讨。
5) unbalanced magnetron sputtering(UBMS)
非平衡磁控溅射(UBMS)
6) unbalanced reactive magnetron sputtering
非平衡反应磁控溅射
1.
TiN/AlN nano-multilayer films were deposited by an ion-beam aided unbalanced reactive magnetron sputtering system.
采用一种新型的离子束辅助非平衡反应磁控溅射设备制备了TiN/AlN纳米多层复合膜。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条