1) maskless lithography
无掩膜光刻
2) maskless
无掩膜
3) Maskless
无掩模
1.
Implementation Methods for Amplitude Division Maskless Laser Interference Photolithography;
振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
2.
Implementation Methods for Wave-Front Division in Maskless Laser Interference Photolithography;
波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
4) maskless lithography
无掩膜曝光
5) maskless lithography
无掩模光刻
1.
The present and the problem of the maskless lithography wereintroduced.
介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析。
2.
Methods of zone plates array or photon sieves array maskless lithography are depicted.
描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。
6) maskless printing
无掩膜印刷
参考词条
补充资料：负型光刻胶去膜剂
分子式：
CAS号：
性质：主要成分为苯酚加溶剂。红色透明液体。能与水、醇等溶剂互溶，有毒且有腐蚀性。适用于去除负型光刻胶光刻后的胶膜以及同类型光刻胶膜的去除。
CAS号：
性质：主要成分为苯酚加溶剂。红色透明液体。能与水、醇等溶剂互溶，有毒且有腐蚀性。适用于去除负型光刻胶光刻后的胶膜以及同类型光刻胶膜的去除。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。