1) maskless lithography
无掩模刻蚀
1.
While the representative maskless lithography based on direct scanning like the typical Electronic-Beam (E-B) lithography technology is just applied for special purpose such as the fabrication of special devices with high resolution in small quantity and masks for photolithography.
由于技术上的成熟以及广泛地应用,有掩模光刻技术一直都是占据着主导地位,而以电子束扫描刻蚀为代表的无掩模刻蚀技术只是应用在特殊的领域,比如高分辨率的少量的特殊器件、光刻掩模版的制造等。
2) Non-mask etch of n-GaAs
n-GaAs无掩模刻蚀
3) maskless
无掩膜
4) Maskless
无掩模
1.
Implementation Methods for Amplitude Division Maskless Laser Interference Photolithography;
振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
2.
Implementation Methods for Wave-Front Division in Maskless Laser Interference Photolithography;
波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法
5) maskless lithography
无掩膜曝光
6) maskless lithography
无掩模光刻
1.
The present and the problem of the maskless lithography wereintroduced.
介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析。
2.
Methods of zone plates array or photon sieves array maskless lithography are depicted.
描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。
参考词条
补充资料：模刻
1.照原样摹写镌刻。
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