2) VPE
气相外延(VPE)
3) vapour deposition furnace
气相外延炉
4) HVPE
氢化物气相外延
1.
High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。
2.
One of the best solutions to this problem would have been the use of freestanding GaN substrates, which are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) due to its high growth rate.
氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支撑衬底而逐渐受到重视。
3.
This dissertation summarized the GaN crystal growth methods that had been studied, and focused on the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) technics.
本文对目前研究比较多的几种生长GaN体单晶的方法进行了综述,主要针对氢化物气相外延(HVPE)技术进行了研究。
5) hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延
1.
Design and making of hydride vapor phase epitaxy system for growing GaN;
GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作
6) epitaxial vapor growth
外延气相生长<冶>
补充资料：气相外延
分子式：
CAS号：
性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。
CAS号：
性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条