1) OMVPE
有机金属气相处延
2) MOVPE
金属有机物气相外延
1.
This paper was overviewed the basic properties of GaN-based material,analyzed key technologies in making blue GaN-based LEDs,such as MOVPE,P-doping ohmic contact,etching and chip dicing saw,and introduced recent progresses of technologies at present.
本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指出了需要改进的问题,展望了末来的研究方向。
2.
The relation between control parameters and the Al solid\|vapor distribution coefficient kAl is deduced for the atmospheric pressure MOVPE (AP\|MOVPE) growth of AlGaAs and based on this relation the data from AP\|MOVPE growth of AlGaAs are analyzed.
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究。
3) metal organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相外延
4) metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延
1.
In this paper,GaN films are grown by metal organic vapor phase epitaxy.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系。
5) metalorganic vapor phase epitaxy
金属有机化学气相外延法
1.
95% strain, 11 nm well width) in active region was grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP MOVPE).
采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。
6) LP_MOCVD
低压金属有机化合物气相外延
补充资料：相处
1.共同生活;相互交往。 2.彼此居处。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条