2) body drain-gate capacitor
漏栅电容
3) drain-to-gate voltage
栅漏电压
4) gate-drain charge
栅-漏电荷
5) gate-drain capacitance
栅漏电容
1.
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET(BTB-JFET)with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed.
提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd。
2.
It is shown that neglecting the gate-drain capacitance of the MOSFET would lead to an overestimation of the optimum device width in the CMOS source degenerated LNA.
本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中，忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。
3.
Simulation results show that the gate-drain capacitance CGD of normally-on BTB-JFET has an improvement up to 25% than that of TB-JFET at zero source-drain bias.
仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。
6) grid leak resistor
栅漏电阻
补充资料：电流型漏电保护
分子式：
CAS号：
性质：以反映漏电设备外壳对地电流为动作信号的保护方式。有剩余电流型和泄漏电流型两类，但一般所指都是前者。相应的装置称为电流型漏电保护装置。这种保护装置采用零序电流互感器作为取得触电或漏电信号的检测元件。这种保护装置既能防止间接接触电击，也能防止直接接触电击。纯电磁式剩余电流型漏电保护装置以极化电磁铁作为执行机构。其主要优点是使用元件少、可靠性较高、承受过电流或过电压冲击的能力较强、缺相时性能稳定；其不足之处是灵敏度不高、材料要求和工艺要求较高。电子式剩余电流型漏电保护装置以电子线路作为中间机构，以普通电磁铁或继电器作为执行机构。其主要优点是灵敏度高、动作准确、容易取得动作延时、动作电流和动作时间容易调节、容易设计出多功能的保护器、工艺比较简单；其不足之处是可靠性较低、抗过电流和过电压冲击的能力较弱。
CAS号：
性质：以反映漏电设备外壳对地电流为动作信号的保护方式。有剩余电流型和泄漏电流型两类，但一般所指都是前者。相应的装置称为电流型漏电保护装置。这种保护装置采用零序电流互感器作为取得触电或漏电信号的检测元件。这种保护装置既能防止间接接触电击，也能防止直接接触电击。纯电磁式剩余电流型漏电保护装置以极化电磁铁作为执行机构。其主要优点是使用元件少、可靠性较高、承受过电流或过电压冲击的能力较强、缺相时性能稳定；其不足之处是灵敏度不高、材料要求和工艺要求较高。电子式剩余电流型漏电保护装置以电子线路作为中间机构，以普通电磁铁或继电器作为执行机构。其主要优点是灵敏度高、动作准确、容易取得动作延时、动作电流和动作时间容易调节、容易设计出多功能的保护器、工艺比较简单；其不足之处是可靠性较低、抗过电流和过电压冲击的能力较弱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条