1) gate-gain reverse breakdowm
栅-漏反向击穿电压
2) reverse breakdown voltage
反向击穿电压
1.
A two-dimensional(2-D) analytical model of reverse breakdown voltage for 4H-SiC super junction structure is proposed.
提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。
3) breakdown voltage
反向击穿电压
1.
The linear relation between the reverse breakdown voltage and un-doping active region′s thickness of PIN light emitting diode(LED) was analyzed by using the ideal PIN structure′s electric field distribution model.
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。
2.
Compared with natural Si diodes fabricated with the same process parameters, the reverse breakdown voltage of isotopic pure Si diodes was improved .
两批都实验结果发现,硅-28二极管的反向击穿电压有了较大程度的增加,大约分别从45 V提高到80V,80V 提高到140V左右。
4) gate negative puncturing voltage
栅-阴击穿电压
5) gate cathode breakdown voltage
栅阴击穿电压
6) gate-source breakdown voltage
栅源击穿电压
补充资料：击穿电压
分子式：
CAS号：
性质： 表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要物理量，使其突然失去绝缘性能而产生导电现象的最低电压值。单位为V, kV。击穿电压愈大绝缘性能愈好。各种材料击穿电压根据实验条件的不同而变化。
CAS号：
性质： 表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要物理量，使其突然失去绝缘性能而产生导电现象的最低电压值。单位为V, kV。击穿电压愈大绝缘性能愈好。各种材料击穿电压根据实验条件的不同而变化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条