1) GIDL
栅感应漏电(GIDL)
2) gate induced drain leakage current
栅极感应漏极漏电流
3) SILC
应力感应漏电流
1.
Stress-induced leakage current (SILC) of ultrathin gate oxide is investigated by observing the generation of interface traps for n-MOSFET and p-MOSFET under hot-carrier stress.
通过测量界面陷阱的产生 ,研究了超薄栅 n MOS和 p MOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流( SIL C) 。
2.
The degradation of device parameters and the degradation of the stress induced leakage current(SILC)of thin tunnel gate oxide under constant direct-tunneling voltage stress are studied using nMOS and pMOSFETs with 1.
4nmMOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化。
4) body drain-gate capacitor
漏栅电容
5) drain-to-gate voltage
栅漏电压
6) gate-drain charge
栅-漏电荷
补充资料：电流型漏电保护
分子式：
CAS号：
性质：以反映漏电设备外壳对地电流为动作信号的保护方式。有剩余电流型和泄漏电流型两类，但一般所指都是前者。相应的装置称为电流型漏电保护装置。这种保护装置采用零序电流互感器作为取得触电或漏电信号的检测元件。这种保护装置既能防止间接接触电击，也能防止直接接触电击。纯电磁式剩余电流型漏电保护装置以极化电磁铁作为执行机构。其主要优点是使用元件少、可靠性较高、承受过电流或过电压冲击的能力较强、缺相时性能稳定；其不足之处是灵敏度不高、材料要求和工艺要求较高。电子式剩余电流型漏电保护装置以电子线路作为中间机构，以普通电磁铁或继电器作为执行机构。其主要优点是灵敏度高、动作准确、容易取得动作延时、动作电流和动作时间容易调节、容易设计出多功能的保护器、工艺比较简单；其不足之处是可靠性较低、抗过电流和过电压冲击的能力较弱。
CAS号：
性质：以反映漏电设备外壳对地电流为动作信号的保护方式。有剩余电流型和泄漏电流型两类，但一般所指都是前者。相应的装置称为电流型漏电保护装置。这种保护装置采用零序电流互感器作为取得触电或漏电信号的检测元件。这种保护装置既能防止间接接触电击，也能防止直接接触电击。纯电磁式剩余电流型漏电保护装置以极化电磁铁作为执行机构。其主要优点是使用元件少、可靠性较高、承受过电流或过电压冲击的能力较强、缺相时性能稳定；其不足之处是灵敏度不高、材料要求和工艺要求较高。电子式剩余电流型漏电保护装置以电子线路作为中间机构，以普通电磁铁或继电器作为执行机构。其主要优点是灵敏度高、动作准确、容易取得动作延时、动作电流和动作时间容易调节、容易设计出多功能的保护器、工艺比较简单；其不足之处是可靠性较低、抗过电流和过电压冲击的能力较弱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条