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1) nanometer fine circuit
纳米精细线路
2) fine line
精细线路
1.
Degree of Planarization (DOP) together with surface roughness contribute to the feature ofsurface topography, which effected on the fine line especially line/space(L/S) below 50μm.
文章研究了铜表面形貌对HDI精细线路图形转移的影响。
2.
Because of the unavoidable side etching, it is difficult to produce these fine lines by conventional subtractive process.
文章中,介绍以铜箔厚度仅有2μm的溅射型挠性覆铜板为原材料,采用半加成法制作了最小线宽/间距分别为50μm/50μm和30μm/30μm的精细线路基板。
3.
With the development of chip seal technology and the higher request for the fine degree of fineness of plate line,the fine line below 50μm/50μm micron will become the mainstream in the future development.
随着晶片封装技术的不断发展,要求基板线路的精细度越来越高,50μm/50μm以下的COF(Chip on Flex)精细线路将成为未来发展的主流,但精细线路的制作一直是FPC生产上的难点,当线路在50μm/50μm以下时,成品率较低难以满足量产化的要求。
3) fine lines
精细线路
1.
Photoresist: Photoresist resolution decisides the limits the production of fine lines, and is particularly important in fine lines production .
本文主要通过优化片式、RTR和液体光致抗蚀剂对25μm和40μm的COF精细线路进行了研制,对喷墨打印机墨盒用COF挠性印制板生产过程的关键技术做了大量的预研工作,并取得了以下成果:基材方面:材料的稳定性直接影响着COF封装的精确度,本论文通过对基材真空处理然后测量前后的误差来计算COF材料的稳定性。
2.
So it is the hot spot of research that produce COF FPC with right fine lines adapted to the increasing IC density of integration and deceasing I/O spacing.
光致抗蚀剂方面:通过对比杜邦FX900系列两种不同抗蚀层厚度干膜(FX930与FX915)的感光性能、分辨率、附着力、操作工艺等,确定出杜邦FX915(抗蚀层厚度15μm)为更适用于COF挠性印制板制作的干膜;并对干膜的曝光参数进行了优化,最佳曝光级数5级(相对于21级曝光尺),曝光能量片式150mJ/cm~2、卷式110mJ/cm~2,使其更加适合于精细线路的制作。
3.
When producing thinner than 50μm/50μm fine lines according to traditional method, there always are objections of gaps on line or under size lines.
按照片式减成方法制作的线宽/线距在50μm/50μm以下的精细线路,常常会出现导线过细或断线等缺陷。
4) ultrafine nanostructure
超精细纳米结构
1.
Fabrication of ultrafine nanostructures;
超精细纳米结构加工技术
5) fine nanostructur
精细纳米结构
6) Ultrathin Ni nanowires
超细镍纳米线
补充资料：看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术
纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时，除了要解决纳米材料的制备技术之外，重要的是要解决好纳米材料的应用技术，其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分（即聚合物材料）之间处于适当的结合状态。印染中，纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。 制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法，适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能，粒子极易自发团聚，利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此，要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料，必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体，将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程： 高分子溶液（或乳液）共混：首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液（或乳液），然后加入无机纳米粒子，利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液（或乳液）中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2，搅拌均匀，再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后，改性不饱和聚酯。 熔融共混：将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后，双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子，分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂，然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明，将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼，在聚合物中可以达到纳米尺度分散，获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维，对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上（美国AATCC－100标准）。 机械共混：将偶联剂稀释后与碳纳米管混合，再与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具，热压，制得功能型纳米复合材料。 聚合法：利用纳米SiO2粒子填充（Poly（HEMA））制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸（HEMA）功能化，然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性，加入碱性单体4－乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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