2) photoetched pore micromodel
蚀刻模型
1.
The photoetched pore micromodel has widely been used because of its good similarity and its convenient design.
在油田开发后期,微观物理模拟实验是研究剩余油形成机理的一种重要手段,蚀刻模型由于其仿真性好,设计灵活方便,从而得到较为广泛的应用。
3) etching rate modeling
刻蚀速率模型
4) etching mask
刻蚀掩模
1.
Photoresist was used as etching mask for HgCdTe inductively coupled plasma(ICP) enhanced reactive ion etching(RIE) process.
文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。
2.
The etching mask for polymeric optical waveguide are systematically investigated.
主要针对聚合物波导制备中的关键技术———刻蚀掩模,进行了系统的研究。
5) mask-based lithography
有掩模刻蚀
6) mini-efcher
小型刻蚀器
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条