1) surface planarization
表面平坦化
1.
Using thick photoresist as mask, combiningreactive ion etching and wet etching, the surface planarization for isolation structure is realized.
为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化。
2) smooth surface
平坦表面
3) smooth level surface
平坦水平表面
4) asperity
[英][æ'sperəti] [美][æ'spɛrətɪ]
平坦表面之突点
5) flat-topped surface
平坦面
6) planarization
平坦化
1.
Performance and analysis of the planarization technologyin IC manufacture;
IC制造中平坦化技术的性能与分析
2.
A Planarization Technique for Fully Dielectrically Isolated SOI IC s;
一种适合SOI全介质隔离电路的平坦化技术
3.
Polyimide passivation and planarization process techniques for high speed InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors(SHBTS)are developed.
成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中。
补充资料:表面粗糙化
表面粗糙化
surface roughening
表面粗糙化surfaee ro眼hening在一定温度以上晶体表面由原子尺度上的光滑平面向粗糙表面转变的现象。晶体表面的粗糙化在宏观上表现为晶体平衡外形中对应奇异取向的光滑面的消失,在微观上可用台阶自由能变为零和表面厚度的无限增大来描述。 在低温下,奇异面是原子尺度光滑的。表面上所有原子有序排列,没有自吸附原子或空位。在足够高温下,有的原子跳迁到表面上面一层,形成自吸附原子,并在原表面内留下空位。更高温度下,自吸附原子连成平台,空位连成空缺,甚至在大平台上有小平台,大空缺下有小空缺,形成多层的表面缺陷结构,即粗糙表面。用蒙特一卡洛方法计算机模拟得到简单立方结构(001)表面随温度升高而变化的形貌如图所示。 参量衡量表面粗糙化的参量有下列几种: ①表面位置涨落 、尹 11 了r、、l丁蚀<(编一<编>)’>二有限值(光滑表面)=co(粗糙化后)式中扬。为表面某定点(取为原点)上的高度,A为表面积,<>表示对表面组态平衡分布的统计平均值。 ②高度相关函数 G(r)=<(h。一瓜l)“>(2)h。、瓜‘分别表示表面上坐标为(l’,;’)和(k.l)两点的高度,r为两点间距。当r一co,光滑表面的G(r)~2<(扬。一
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条