说明：双击或选中下面任意单词，将显示该词的音标、读音、翻译等；选中中文或多个词，将显示翻译。
您的位置：首页 -> 词典 -> InGaAs/InP电池
1)  InGaAs/InP cells
InGaAs/InP电池
2)  InP solar cells
InP太阳电池
例句>>
3)  InP based InAlAs/InGaAs HEMT
InP基InAlAs/InGaAs HEMT
4)  InGaAs/InP APD detector
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
5)  InGaAs/InP detector
InGaAs/InP PIN光探测器
6)  InGaAs APD
InGaAs雪崩光电二极管
1.
The chip of the four-quadrant InGaAs APD in this paper is designed in a frontal incident planar structure and its material part is an SAGM APD.
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。
更多例句>>
补充资料：indium phosphide (inp)
CAS：22398-80-7
中文名称：磷化铟；磷化铟晶体INP
英文名称：indium phosphide；indium monophosphide；indium phosphide (inp)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条