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1)  P-type InP
P型InP
1.
6×1016/cm2 in P-type InP are investigated by positron annihilation lifetime technique respectively.
6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷。
2)  INP Model
INP模型
3)  Weak-type(p,p)
弱(p,p)型
4)  P-P model
P-P模型
1.
Volterra advanced P-P model: the predator-prey model in the 20th century.
自从20世纪20年代,P-P模型:捕食者-猎物模型被Volterra提出后,它就成功的解释生物界的一些现象,例如:物种个体迁移、竞争现象、捕食现象、利他主义对生态系统的影响等。
5)  p-type
p型
1.
Effects of Substrate Temperature on the Properties of N-doped p-type ZnO Films Deposited by DC Reactive Sputtering;
衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
2.
Recent Research of Cu-based Transparent Conducting Materials with p-type;
p型含铜透明导电材料的新进展
3.
First-principles Calculation on Codoping Structure of p-type ZnO;
氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究
6)  P type
P型
1.
Serotyping and genotyping of G and P types of rotavirus from infantile diarrhea in Fujian Province;
福建省婴幼儿腹泻轮状病毒G型和P型的分型研究
2.
The growth techniques of P type GaN and Al 0 13 Ga 0 87 N by MOVPE, including the doping dosage and thermal anneal, and their influences on the electrical property of the materials are studied.
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。
补充资料:indium phosphide (inp)
CAS:22398-80-7
中文名称:磷化铟;磷化铟晶体INP
英文名称:indium phosphide;indium monophosphide;indium phosphide (inp)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条