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1)  ion implanted barrier
离子注入势垒
2)  injection barrier
注入势垒
1.
The insertion of this ultra-thin film results in a similar reduction of the hole injection barrier,which is related to the thickness of the film.
Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。
3)  F ions implantation and etching of barrier layer
F离子注入和势垒层腐蚀
4)  hole injection barrier
空穴注入势垒
1.
Analogy of hole injection barrier indicates that the interface barrier of ITO is lowered after being treated with the high frequency discharge method using hole-only devices.
用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒。
5)  energy-barriers of molecular dissociation
分子解离势垒
6)  ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
补充资料:离子注入
分子式:
分子量:
CAS号:

性质:用高速离子轰击格料,使被轰击材料表面形成一定深度的注入层,注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化,从而使材料改性。

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