1) AlGaN/AlN/GaN structure
AlGaN/AlN/GaN结构
1.
The transport property of two dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN structure;
AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性
2) AlGaN/GaN heterostructure
AlGaN/GaN异质结构
1.
X-ray diffraction studies on AlGaN/GaN heterostructures;
AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究
3) GaN/AlN quantum dot
GaN/AlN量子点结构
1.
The calculation of electronic structure in GaN/AlN quantum dots with finite element method;
有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构
2.
An effective method is introduced to investigate the strained fields and piezoelectric effect in GaN/AlN quantum dots (QDs) with hexagonal truncated pyramid shape.
从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度。
4) AlGaN/GaN heterostructure
AlGaN/GaN异质结
1.
Comparison of measuring methods of sheet carrier density in AlGaN/GaN heterostructures;
AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析
2.
Influences of AlN passivation dielectric on AlGaN/GaN heterostructure and its high-temperature properties;
AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响
3.
Influence of high-temperature AlN interlayer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure and HEMTs
高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
5) AlN/GaN heterostructure
AlN/GaN异质结
1.
A variational method and the force balance equation are adopted to investigate the influence of optical-phonon scattering(including interface optical phonons and half-space optical phonons) on the mobility of a two-dimensional electron gas in a wurtzite AlN/GaN heterostructure by taking energy band bending and finite barrier into account.
考虑导带弯曲和有限高势垒,利用变分法和力平衡方程研究了界面光学声子和半空间光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,数值计算了各支光学声子作用下迁移率随电子面密度及温度的变化。
6) electronic mobility
应变AlN/GaN异质结
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条