2) p-InGaN/GaN heterostructures
p-InGaN/GaN异质结
1.
The current-voltage characteristics and surface sheet resistance measurements show that,compared with p-GaN,the optimum annealing temperature of p-InGaN/GaN heterostructures is lower and the nonalloyed Ni/Au ohmic contacts can be obtained.
电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。
3) AlGaN/GaN heterostructure
AlGaN/GaN异质结构
1.
X-ray diffraction studies on AlGaN/GaN heterostructures;
AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究
4) Al x Ga 1-x N/GaN heterostructure
AlxGa1-xN/GaN异质结构
5) ZnO/GaN heterojunction
ZnO/GaN异质结构
6) ferroelectric-GaN heterostructure
铁电-GaN异质结构
补充资料：镁铬质耐火材料基质结构单元显微结构
镁铬质耐火材料基质结构单元显微结构
镁铬质耐火材料基质结构单元显微结构
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参考词条