1) Si/Si_ 1-xGe_x resonant tunneling diode
Si/Si1-xGex共振隧穿二极管
2) GeSi/Si RTD
GeSi/Si共振隧穿二极管
1.
Silicon based resonant tunneling diodes(Si-RTDs)mainly include three structures:the hole type GeSi/Si RTD,strain type GeSi/Si RTD and GeSi/Si interband RTD(RITD).
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。
3) resonant tunneling diode
共振隧穿二极管
1.
Effect of polarization on current characteristics of AlN/GaN resonant tunneling diode
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2.
The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性。
3.
A new type of planar resonant tunneling diode(RTD) was fabricated by ion implantation.
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3。
4) RTD
共振隧穿二极管
1.
Photodetector and Optical Modulator with RTD Structure;
共振隧穿二极管型光探测器和光调制器
2.
Electric Charge Accumulation Effect in RTD:Lecture of Resonant Tunneling Devices(4);
共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座(4)
3.
Design of RTD-Based TSRAM;
基于共振隧穿二极管的TSRAM设计(英文)
5) GeSi/Si RITD
GeSi/Si带间共振隧穿二极管
1.
The strain GeSi/Si and GeSi/Si RITD are illustrated emphatically.
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。
6) Si /Si1-xGex HEMT
Si/Si1-xGex HEMT
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条