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1)  Time Dependent Dielectric Breakdown
与时间有关的介质击穿(TDDB)
2)  Time-dependence Dielectric Breakdown (TDDB)
时间相关介质击穿
3)  voltage-time-to-breakdown curve
击穿电压对击穿时间的关系曲线
4)  time dependent
与时间有关的
5)  dielectric breakdown
介质击穿
1.
Research on dielectric breakdown and discharge channel in powder-mixed EDM;
混粉电火花加工介质击穿及放电通道位形研究
2.
The dielectric breakdown of silicon dioxide film has been discussed when ESD pulse voltage in human body model is applied to the film in this paper.
在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压 加于氧化层上时的介质击穿。
3.
A physical model of dielectric breakdown was presented in IC silicon dioxide films.
提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
6)  water dielectric self-breaking switch
水介质自击穿开关
补充资料:低温液体介质击穿
      在足够强的电场作用下,低温液体介质失去绝缘性能而变成导电状态。电工中使用的低温液体指温度低于100K的液化气体,主要有液氮液氢和液氦。低温液体是一种良好的绝缘介质。与变压器油相比,除液氦的击穿电压稍低外,液氢和液氮的击穿电压均高于变压器油,与一般常温下的液体介质相似。低温液体的击穿电压和一系列因素有关,如电极距离、温度、压力、电极材料和表面状态、液体中的杂质以及电压种类等。图示不同低温液体的交流工频击穿电压与电极距离、温度的关系。
  
  低温液体介质的击穿机理与常温下液体介质的击穿相似。对纯净低温液体的击穿理论主要有电击穿理论和气泡击穿理论。电击穿理论和气体放电的汤森理论相似。从阴极发射的电子在电场中加速,和液体分子碰撞并使之电离,电子增加形成电子崩,最后导致击穿。气泡击穿理论是在强电场下,低温液体介质因电子加热等原因产生气泡,气泡内发生放电导致液体介质击穿。因为低温液体的蒸发潜热比一般液体要小,比较容易形成气泡。
  
  实际工程上所采用的低温液体不可避免地含有杂质,而杂质的介电系数比低温液体介质的大,在外界电场作用下容易排列成"小桥",而使击穿电压下降。试验表明,流动中的液氮的击穿电压比静止时高,这是因为流动阻止了杂质颗粒向高强场区集中,而不容易形成"小桥"。
  

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