1) the degree of the medium puncture
介质击穿强度
1.
The capacity of the electricity is limited by the degree of the medium puncture.
导体带电意味着电子的得失 ,带电量的多少将受到介质击穿强度的限制 ,由于这种绝缘性能的限制 ,导体带电时导体的质量不会因为有限数目的电子得失而明显变化 ;导体表面只有很小比例的中性原子涉及电子的得失 ,不必担心电荷分布“由表及里
2) dielectric breakdown strength
电介质击穿强度
3) dielectric breakdown strength
介电击穿强度
4) dielectric breakdown
介质击穿
1.
Research on dielectric breakdown and discharge channel in powder-mixed EDM;
混粉电火花加工介质击穿及放电通道位形研究
2.
The dielectric breakdown of silicon dioxide film has been discussed when ESD pulse voltage in human body model is applied to the film in this paper.
在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压 加于氧化层上时的介质击穿。
3.
A physical model of dielectric breakdown was presented in IC silicon dioxide films.
提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
5) Breakdown Strength
击穿强度
1.
Although the breakdown strength of the SF6-CO2 gas mixture is slightly lower than that of the corresponding SF6-N2 gas mixture in a uniform field, it is superior to the SF6-N2 in non -uniform fields especially under lightning impulses.
研究表明,虽然SF_6—CO_2混合气体在均匀电场中的击穿强度稍逊于同样混合比的SF_6—N_2混合气体,但在不均匀电场中的击穿强度、特别是在雷电冲击电压下的击穿强度,却优于SF_6—N_2。
2.
In order to improve the breakdown strength and lower the dielectric loss of BaTiO3(BT) based ceramics,BaxSr1-xTiO3(BST) ceramics with x=1,0.
为了提高钛酸钡基陶瓷的击穿强度及降低介电损耗,用传统粉末冶金法制备了BaxSr1-xTiO3陶瓷(x=1,0。
6) gate dielectrics breakdown
栅介质击穿
补充资料：击穿强度
分子式：
CAS号：
性质：又称介电击穿强度。材料在电场作用下不致被破坏(击穿)所能承受最高的电场强度。通常用试样击穿电压值与其厚度(两电极板间试样平均厚度，涂料为漆膜)之比表示，单位为kV/mm。
CAS号：
性质：又称介电击穿强度。材料在电场作用下不致被破坏(击穿)所能承受最高的电场强度。通常用试样击穿电压值与其厚度(两电极板间试样平均厚度，涂料为漆膜)之比表示，单位为kV/mm。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条