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1)  zero time breakdown
零时间击穿
1.
It is found that annealing in N 2O can considerably improve the zero time breakdown characteristics of the thin gate oxide.
实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 。
2)  pre-arcing time
预击穿时间
3)  Breakdown time delay
击穿时间延迟
4)  time to impulse flahsover
脉冲击穿时间
5)  VTB (voltage time to breakdown)
击穿电压时间
6)  voltage-time-to-breakdown curve
击穿电压对击穿时间的关系曲线
补充资料:零时间

卡尔维若有著名的“零时间”理论,他的描述是,猎人向狮子射出一箭,而狮子也同时扑向猎人,但是时间就在这里停止,箭永远不会射到狮子,而狮子也永远扑不到猎人。一切就惊心动魄的停留在那一停止的瞬间之中。

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