1) ESD dielectric breakdown
ESD介质击穿
2) dielectric breakdown
介质击穿
1.
Research on dielectric breakdown and discharge channel in powder-mixed EDM;
混粉电火花加工介质击穿及放电通道位形研究
2.
The dielectric breakdown of silicon dioxide film has been discussed when ESD pulse voltage in human body model is applied to the film in this paper.
在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压 加于氧化层上时的介质击穿。
3.
A physical model of dielectric breakdown was presented in IC silicon dioxide films.
提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。
3) gate dielectrics breakdown
栅介质击穿
4) dielectric breakdown
电介质击穿
1.
Results The percolation limit for breakdown pc , the breakdown field Ec～(Pc-p)v, and the fractal dimension of the structure of dielectric breakdown df were obtained.
目的电介质材料中的无序对于电介质击穿是非常敏感的。
5) dielectric breakdown
介电质击穿
6) Solid dielectric breakdown
固体介质击穿
补充资料：击穿
电介质在强电场作用下丧失原有绝缘性质的现象。固体电介质击穿后，会出现熔化或烧焦的通道，或出现机械损伤的裂纹；气体和液体电介质击穿时会出现电火花。发生击穿的电压值与材料的种类、厚度及使用时的温度、压力等因素有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条