1) pre-arcing time
预击穿时间
2) zero time breakdown
零时间击穿
1.
It is found that annealing in N 2O can considerably improve the zero time breakdown characteristics of the thin gate oxide.
实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 。
3) pre bombarding time
预轰击时间
4) Breakdown time delay
击穿时间延迟
5) time to impulse flahsover
脉冲击穿时间
6) VTB (voltage time to breakdown)
击穿电压时间
补充资料：预调时间
分子式：
CAS号：
性质：在比例微分作用(PD作用)的单元中，输入变量给定为斜坡状(等速)变化，输出变量变化达到斜坡施加后，立即得到的变化值的两倍时所需时间。
CAS号：
性质：在比例微分作用(PD作用)的单元中，输入变量给定为斜坡状(等速)变化，输出变量变化达到斜坡施加后，立即得到的变化值的两倍时所需时间。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条