1) multilayer photoresist technology
三层光刻胶工艺
2) Photoresist@P1ashing technique
光刻胶灰化工艺
3) tri-layer resist technology
三层胶工艺
1.
The tri-layer resist technology is used to fabricate T-shaped gate.
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 。
4) photoetching technology
光刻工艺
1.
In this passage,the steady photoetching technology of BP-212 positive photoresist is researched.
本文分别以玻璃片和AAO模板为基底,使用BP-212型紫外正性光刻胶,进行光刻工艺条件的研究,找到了在本实验条件下的稳定光刻工艺。
5) Lithographic process
光刻工艺
1.
A method of simulating and optimizing lithographic process parameters is proposed based on the concept of effective time difference.
通过引入有效时差的概念 ,提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及优化光刻参数的方法。
6) photolithography
[英][,fəutəli'θɔgrəfi] [美][,fotolɪ'θɑgrəfɪ]
光刻工艺
1.
In the process of image transfer printing in photolithography technology, It is key link to determine the location of the image plane.
在光刻工艺的图形转印过程中,像平面位置的确定是重要的环节。
补充资料：负性光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条