1) AlxGa1-xN
AxlGa1-xN
2) Al_xGa_(1-x)N
AlxGa1-xN
1.
The effect of strain on band structure and bowing parameters of Al_xGa_(1-x)N which is pseudomorphically strained was analyzed theoretically.
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。
3) x~n≡a(modm)
xn≡a(modm)
4) Al xGa 1-xN/GaN
AlxG1-xN/GaN
5) XN Institute
XN研究所
1.
The Design of the Performance Evaluation System for XN Institute;
XN研究所绩效考核系统设计
6) AlxGa1-xN layer
AlxGa1-xN薄膜
1.
The AlxGa1-xN layers are crackfree with a mirror-like surface when x>0.
生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列。
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条