1) poly-Si/SiO2 interface
多晶硅/氧化硅界面
1.
It is found that the poly-Si/SiO2 interface has a transition region instead of changingabruptly.
利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用“氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响。
2) Poly-Si/SiO_2 interface
多晶硅/氧化硅面
3) SiO2/SiC interface
二氧化硅/碳化硅界面
4) poly reox
多晶硅再氧化
5) oxide interface state
氧化硅界面态
补充资料：氧化硅晶须
分子式：
CAS号：
性质：一种陶瓷晶须，将金属硅细粉在25℃以下通氧、水蒸气或过氧化氢气体，使之渗入多孔三氧化铝陶瓷基质内，在1250～1420℃温度和氢气环境绕结1h左右，金属硅通过中间体生长为SiO2晶须。作为复合材料增强体。
CAS号：
性质：一种陶瓷晶须，将金属硅细粉在25℃以下通氧、水蒸气或过氧化氢气体，使之渗入多孔三氧化铝陶瓷基质内，在1250～1420℃温度和氢气环境绕结1h左右，金属硅通过中间体生长为SiO2晶须。作为复合材料增强体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条