多晶硅绒面,multicrystalline silicon texture,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) multicrystalline silicon texture 点击朗读

多晶硅绒面

2) multi-crystalline silicon texturization 点击朗读

多晶硅片制绒

3) Poly-Si/SiO_2 interface 点击朗读

多晶硅/氧化硅面

4) textured Si 点击朗读

绒面硅

p-Si<100> substrates were used to make textured structure in alkaline and IPA solution,ZnO∶Al thin films were deposited on textured Si substrates by ultrasonic spray pyrolysis techniques.

以p型单晶硅<100>作为衬底材料,通过化学腐蚀法得到硅绒面表面结构,采用喷雾热解法沉积掺Al的ZnO薄膜于绒面硅上,结合微电子光刻、磁控溅射和真空蒸镀等工艺制作上、下表面电极,于400℃氮气氛围下快速退火合金,得到Ag/Ti/n-ZnO/p-Si/Al异质结太阳能电池。

5) poly-Si/SiO2 interface 点击朗读

多晶硅/氧化硅界面

It is found that the poly-Si/SiO2 interface has a transition region instead of changingabruptly.

利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用“氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响。

6) Polysilicon Surface Micromachining 点击朗读

多晶硅表面微机械

补充资料：硅多晶的硅烷法制备

硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process

gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)

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参考词条

多晶硅栅多晶硅带

多晶硅多晶硅锭多晶锗硅多晶硅片多晶硅膜多晶硅锗

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