1) deep UV lithography
深紫外曝光
1.
Photonic crystals and waveguide devices suitable for 248 nm deep UV lithography and 0.
在大量计算和优化的基础上,设计了适于248nm深紫外曝光和0。
2) UV exposure
紫外曝光
1.
A technique for trimming the Bragg gratings by the UV exposure is proposed.
制作了基于B Ge光纤的Bragg光栅,并且提出对光栅进行紫外曝光修整的处理方法。
3) ultraviolet exposure
紫外线曝光
4) ultraviolet exposure machine
紫外曝光机
6) UV Exposure machine
紫外线曝光机
补充资料：还原深紫4BL
分子式：
分子量：
CAS号：
性状：蓝黑色粉末。
溶解情况：不溶于水、乙醇，微溶于丙酮、氯仿、吡啶、甲苯等，溶于四氢化萘和二甲苯呈红色而带有荧光的溶液。
用途：主要用于棉制品的染色和印花。
制备或来源：可将苯绕蒽酮与氢氧化钾等共熔而制得。
类别：还原染料
分子量：
CAS号：
性状：蓝黑色粉末。
溶解情况：不溶于水、乙醇，微溶于丙酮、氯仿、吡啶、甲苯等，溶于四氢化萘和二甲苯呈红色而带有荧光的溶液。
用途：主要用于棉制品的染色和印花。
制备或来源：可将苯绕蒽酮与氢氧化钾等共熔而制得。
类别：还原染料
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条