1) stacked Ge quantum dots
多层锗量子点
2) GeSi quantum dot
锗硅量子点
1.
Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).
由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。
3) SiGe multi quantum wells
硅锗多量子阱
4) multilayer InAs quantum dots
多层InAs量子点
5) Ge-dots/Si multilayered structure
Ge/Si量子点多层结构
6) multi layered quantum dots
多量子点
1.
Because of the coupling between the multi layered quantum dots, the devices made of these quantum dots exhibit much more complicated phenomenon than the devices containing single layer quantum dots.
因为多量子点之间存在耦合作用 ,造成器件中的很多亚稳态 。
补充资料：多量子阱(见量子阱)
多量子阱(见量子阱)
multiple quantum well
多t子阱multiple quanturn well见量子阱。
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参考词条