1) SiGe quantum wells
硅锗量子阱
2) Si/Ge quantum wells
锗硅量子阱
1.
The band-to-band absorption edges of Si/Ge quantum wells were characterized by photocurrent measurement.
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究。
3) SiGe multi quantum wells
硅锗多量子阱
4) GeSi quantum dot
锗硅量子点
1.
Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).
由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。
5) GeSi quantum rings
锗硅量子环
6) Quantum well
量子阱
1.
Resonant modes in quantum well structure composed of photonic crystals with different lattice constants;
不同晶格常数光子晶体构成的光量子阱中的共振模
2.
Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells;
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
3.
Light emitting model of GaN LED quantum well;
GaN LED量子阱光发射模型
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条