1) SiGe/Si multi-layers
多层锗硅/硅
2) poly-SiGe
多晶锗硅
1.
The crystal quality and morphology of poly-SiGe films were characterized by XRD and SEM.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜。
3) polycrystalline SiGe
多晶硅锗
1.
Effects of hydrogenation for polycrystalline SiGe (poly-Si1-xGex) thin films were estimated by investigating the dark conductivity and activation energy that derive from the conductivity as a function of the temperature.
优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件。
4) porous SiGe
多孔硅锗
1.
The microstructure of porous SiGe is studied by using SEM technique.
用改进的双槽法和激光辅助照射制备多孔硅锗,用电子扫描探针观察其形貌。
5) Ge/PS
锗/多孔硅
1.
Comparative Study on Photoluminescence from Ge/PS and Ge/SiO_2 Thin Films;
锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究
6) Ge/silicon oxide nanometer multilayer films
锗/氧化硅纳米多层膜
1.
Ge/silicon oxide nanometer multilayer films were deposited by the r.
用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光。
2.
Ge/silicon oxide nanometer multilayer films are deposited by the r.
测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性。
补充资料：锗硅固溶体
| 锗硅固溶体 Ge Si solid solution 由锗和硅两种元素形成的溶解度无限的替位固溶体。又称锗硅合金。分为无定形、结晶型和超晶格3种。无定形锗硅固溶体主要用作太阳电池，其转换效率已达14.4％（理论值为20％）。结晶形锗硅固溶体分为单晶和多晶，主要用作温差电材料、红外和核辐射探测器材料。用作温差电材料的锗硅固溶体是一种高温材料，热端温度可达1000～1100℃，具有效率高（可达10％）、强度大、热稳定性好、抗辐射、重量轻等优点，常用于航天系统的温差发电器。超晶格是一种新型材料。它是由两种不同半导体薄层交替排列组成的周期列阵，通过在晶体衬底上一层叠一层地生长出两种不同半导体材料薄膜获得。可用作半导体光电子材料，如制作弹道晶体管和高电子迁移率晶体管、光电导探测器、集成光电子器件等。
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参考词条