1) indium phosphide-silica
磷化铟二氧化硅
2) InP/Si
磷化铟/硅
3) indium oxide
三氧化二铟
4) phosphoru doped silica
掺杂磷二氧化硅
5) cerium dioxide-nickel-tungsten-phosphorus-silicon carbide
二氧化铈-镍-钨-磷-碳化硅
6) V-Cr-P-O/SiO2
钒-铬-磷-氧/二氧化硅
补充资料：磷锑化铝铟
分子式：InxAl1-xSbyP1-y 0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。禁带宽度随x、y发生变化。存在间接带隙半导体区。可在磷化铟、锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光直到2μm红外光发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。禁带宽度随x、y发生变化。存在间接带隙半导体区。可在磷化铟、锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光直到2μm红外光发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条