1) Si/SiGe HBTs
Si/SiGe异质结双极晶体管
3) SiGe heterojunction bipolar transistor
SiGe异质结双极晶体管
1.
<Abstrcat> The base transit time of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) is calculated and analysed.
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。
4) SiGe HBT
SiGe异质结双极晶体管
1.
Analysis of the frequency property in SiGe HBT;
SiGe异质结双极晶体管频率特性分析
2.
The total-dose radiation effects and annealing characteristics of a SiGe HBT are studied.
研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性。
3.
The merits, characteristics, structure and application of SiGe HBT are introduced.
介绍SiGe异质结双极晶体管HBT的优点、特性、结构、工艺和应用。
5) SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
6) SiGe/Si heterojunction
SiGe/Si异质结
1.
The SiGe technology is applied to the performance improvement of power semiconductor devices and the novel structure of SiGe/Si heterojunction p i n switching power diodes is presented.
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计 。
补充资料：异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
简称HBT。将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可利用来降低发射结的电容和基区的电阻，从而提高异质结双极晶体管的频率特性。如果将基区的组分做成渐变的形式，就相当于基区存在着一个等效电场，它将使注入的少子通过基区的渡越时间缩短，从而进一步提高异质结双极晶体管的频率响应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条