2) reverse breakdown voltage
反向击穿电压
1.
A two-dimensional(2-D) analytical model of reverse breakdown voltage for 4H-SiC super junction structure is proposed.
提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。
3) breakdown voltage
反向击穿电压
1.
The linear relation between the reverse breakdown voltage and un-doping active region′s thickness of PIN light emitting diode(LED) was analyzed by using the ideal PIN structure′s electric field distribution model.
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。
2.
Compared with natural Si diodes fabricated with the same process parameters, the reverse breakdown voltage of isotopic pure Si diodes was improved .
两批都实验结果发现,硅-28二极管的反向击穿电压有了较大程度的增加,大约分别从45 V提高到80V,80V 提高到140V左右。
4) reverse breakdown current.
反向击穿电流
5) breakdown voltage curve
反向击穿曲线
1.
In the test of breakdown voltage of power transistor with SIPOS passivation layer before packaging,an abnormal curve of breakdown voltage was found,which was a double-line breakdown voltage curve.
通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。
6) gate-gain reverse breakdowm
栅-漏反向击穿电压
补充资料：击穿电压
分子式：
CAS号：
性质： 表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要物理量，使其突然失去绝缘性能而产生导电现象的最低电压值。单位为V, kV。击穿电压愈大绝缘性能愈好。各种材料击穿电压根据实验条件的不同而变化。
CAS号：
性质： 表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要物理量，使其突然失去绝缘性能而产生导电现象的最低电压值。单位为V, kV。击穿电压愈大绝缘性能愈好。各种材料击穿电压根据实验条件的不同而变化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条