说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 栅漏电压
1)  drain-to-gate voltage
栅漏电压
2)  grid-leak bias
栅漏偏压
3)  body drain-gate capacitor
漏栅电容
4)  gate-drain charge
栅-漏电荷
5)  gate-drain capacitance
栅漏电容
1.
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET(BTB-JFET)with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed.
提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd。
2.
It is shown that neglecting the gate-drain capacitance of the MOSFET would lead to an overestimation of the optimum device width in the CMOS source degenerated LNA.
本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中,忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。
3.
Simulation results show that the gate-drain capacitance CGD of normally-on BTB-JFET has an improvement up to 25% than that of TB-JFET at zero source-drain bias.
仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。
6)  gate leakage
栅漏电
补充资料:冲击波超压与动压

[解释]:  核爆炸产生的高温、高压火球膨胀,在周围介质中形成连续向外传播的压力脉冲(或冲击波),冲击波阵面传播到空间某点时,超过周围环境大器的压力称超压;空气粒子高速随波阵面运动产生的冲击压力称动压。超压和动压都以帕斯卡(Pa)为主单位。超压随时间的变化取决于爆炸威力、距爆点的距离和爆心周围的介质情况。特定地点的峰值超压一般出现在冲击波阵面到达该点的瞬间,超压在该点的持续时间称为正压作用时间。尔后,该点的压力下降到低于周围压力,称为负压,再逐渐回升到周围压力值。对人员的直接冲击伤,超压为20—29千帕可引器轻度伤;29—59千帕可导致中度伤;59—98千帕可造成重度伤;大于98千帕可造成极重度伤。动压为10—20千帕可造成中度伤;20—39千帕可造成重度伤;大于39千帕可造成极重度伤。动压的推动、抛掷和超压的挤压会造成物体变形和毁坏。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条