1) reverse breakdown current.
反向击穿电流
2) reverse breakdown voltage
反向击穿电压
1.
A two-dimensional(2-D) analytical model of reverse breakdown voltage for 4H-SiC super junction structure is proposed.
提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。
3) breakdown voltage
反向击穿电压
1.
The linear relation between the reverse breakdown voltage and un-doping active region′s thickness of PIN light emitting diode(LED) was analyzed by using the ideal PIN structure′s electric field distribution model.
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。
2.
Compared with natural Si diodes fabricated with the same process parameters, the reverse breakdown voltage of isotopic pure Si diodes was improved .
两批都实验结果发现,硅-28二极管的反向击穿电压有了较大程度的增加,大约分别从45 V提高到80V,80V 提高到140V左右。
5) breakdown current
击穿电流
1.
Then,through analysing the value of breakdown current of series resonant device with variable frequency,it is considered that the breakdown current wouldn t hurt the object under test further.
重点分析了调频式串联谐振耐压装置现场试验时可能出现品质因数Q值上不去的原因及相应的防止措施,对该装置耐压试验击穿电流进行了详细的分析,指出其对被试品不会造成进一步的损伤。
6) current breakdown
电流击穿
补充资料：计时电流反向技术
分子式：
CAS号：
性质： 一种电化学研究方法，是对工作电极施加第一个能产生某种待测物质的电势阶跃后，再施加与初始阶跃反向的第二个电势阶跃，可通过电流-时间曲线对第一阶跃产物进行检测。
CAS号：
性质： 一种电化学研究方法，是对工作电极施加第一个能产生某种待测物质的电势阶跃后，再施加与初始阶跃反向的第二个电势阶跃，可通过电流-时间曲线对第一阶跃产物进行检测。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条