1) electronic emitting material
电子发射材料
1.
In order to choose the tungsten powder with the excellent flow properties, we studied the powder physical indexes of the electronic emitting material by Japanese MT-1000 multimeter, and the results indicated the evaluation of the flow properties of these powders.
为了选用具有优良流动性的钨粉 ,我们采用日本MT 10 0 0多功能型粉体物性测定仪研究电子发射材料粉体物性指数 ,并且给出该材料的流动性评价。
2) Secondary electron emitter
二次电子发射材料
3) photoemissive material
光电发射材料
1.
The activation technology of novel reflection mode Si photoemissive materials(Si-Na3Sb-Cs)-O-Cs,(Si-K3Sb-Cs)-O-Cs,(Si-Cs3Sb-Cs)-O-Cs and(Si-Na2KSb-Cs)-O-Cs is described.
介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术。
4) Electron material development
电子材料发展
5) electronic material
电子材料
1.
Applications of copper plating technology to electronic materials;
电镀铜技术在电子材料中的应用
6) electronic materials
电子材料
1.
This paper reviews the development from the electronic materials to the optolectromc and photonic materials with respect to the progress of information technology (IT).
结合信息技术(以计算机和通讯为主)的进步来考察从电子材料到光电子材料和光子材料的发展。
2.
They are modern analysis instrument and technology,electronic materials and devices,and thin film physics and technology.
《现代分析仪器与技术》、《电子材料与电子器件》和《薄膜物理与技术》等三门课是电子科学与技术本科专业的主要专业课程。
3.
Since the current voltage characteristics of the threshold memory switch in chalcogenides have been observed by Ovshinsky at 1968, especially both n type and p type doping for hydrogenated amorphous silicon have been avaliable, as one kind of important electronic materials amorphous semiconductors in both fundamental research and application were remarkably developed over the past 30 years.
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来 ,特别是 1975年氢化非晶Si的 p型与n型掺杂控制的实现 ,非晶半导体作为一个重要的电子材料 ,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用。
补充资料：次级电子发射
通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条