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1) materials and electronics
材料电子
1.
The paper discusses the inevitability, speciality goal, cultivating object and curricula setting of complex talent of materials and electronics engineering.
文章就材料电子复合型工程技术人才的必然性、专业定向、培养目标和课程设置进行了讨论,因而确定了“3+3”三主三副的专业方向和“3+3+4”的知识能力素质结构。
2) electronic material
电子材料
1.
Applications of copper plating technology to electronic materials;
电镀铜技术在电子材料中的应用
3) electronic materials
电子材料
1.
This paper reviews the development from the electronic materials to the optolectromc and photonic materials with respect to the progress of information technology (IT).
结合信息技术(以计算机和通讯为主)的进步来考察从电子材料到光电子材料和光子材料的发展。
2.
They are modern analysis instrument and technology,electronic materials and devices,and thin film physics and technology.
《现代分析仪器与技术》、《电子材料与电子器件》和《薄膜物理与技术》等三门课是电子科学与技术本科专业的主要专业课程。
3.
Since the current voltage characteristics of the threshold memory switch in chalcogenides have been observed by Ovshinsky at 1968, especially both n type and p type doping for hydrogenated amorphous silicon have been avaliable, as one kind of important electronic materials amorphous semiconductors in both fundamental research and application were remarkably developed over the past 30 years.
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来 ,特别是 1975年氢化非晶Si的 p型与n型掺杂控制的实现 ,非晶半导体作为一个重要的电子材料 ,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用。
4) optoelectronic materials
光电子材料
1.
Abrasive machining technology of optoelectronic materials
光电子材料的磨粒加工技术综述
2.
One-dimensional semiconductor nano-materials on silicon substrate, as novel silicon-based optoelectronic materials, have the great potential application in the integrated photo-electricity and nano-electronics in future.
硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料 ,在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景 。
3.
Then the recent progress of semiconductor microelectronic and optoelectronic materials including silicon,GaAs and InP crystals and its microstructures,wide band gap semiconductors materials,spintronic materials and organic semiconductor optoelectronic materials as well for national inside and outside are reviewed respectively.
首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述。
5) microelectronic materials
微电子材料
1.
The relative motion law of the particles in slurry, with respect to the processed surface of the silicon, during the chemical mechanical planarization (CMP) of microelectronic materials is firstly discussed.
通过研究微电子材料化学机械平坦化(CMP)加工过程中磨料颗粒在晶片加工表面的运动规律,得到磨料颗粒在晶片表面的运动轨迹方程。
2.
The deformation of materials and material removal mechanism during chemical mechanical palnarization (CMP) processing of microelectronic materials are numerically analyzed using finite element method.
采用有限元数值方法分析微电子材料化学机械平坦化(CMP)工艺过程中材料的变形和去除机理,得到作用在磨料颗粒上的力与名义压力、磨粒含量以及垫板几何和力学特性之间的关系,进而建立起一个材料去除率(MRR)模型。
6) Electronic Material Ga
电子材料Ga
1.
Simulation Study of Microstructure Transition of Electronic Material Ga during Rapid Cooling Solidifications;
电子材料Ga急冷凝固过程中微观结构转变的模拟研究
补充资料：机械工程材料:电子探针分析
以聚焦的高速电子来激发出试样表面组成元素的特徵X射线﹐对微区成分进行定性或定量分析的一种材料物理试验﹐又称电子探针X射线显微分析。电子探针分析的原理是﹕以动能为10～30千电子伏的细聚焦电子束轰击试样表面﹐击出表面组成元素的原子内层电子﹐使原子电离﹐此时外层电子迅速填补空位而释放能量﹐从而產生特徵X射线。
用波长色散谱仪(或能量色散谱仪)和检测计数系统﹐测量特徵X射线的波长(或能量)和强度﹐即可鑑别元素的种类和浓度。
在不损耗试样的情况下﹐电子探针通常能分析直径和深度不小於1微米范围内﹑原子序数4以上的所有元素﹔但是对原子序数小於12的元素﹐其灵敏度较差。常规分析的典型检测相对灵敏度为万分之一﹐在有些情况下可达十万分之一。检测的绝对灵敏度因元素而异﹐一般为10-14～10-16克。用这种方法可以方便地进行点﹑线﹑面上的元素分析﹐并获得元素分布的图象。对原子序数高於10﹑浓度高於10％的元素﹐定量分析的相对精度优於±2％。
电子探针仪是 X射线光谱学与电子光学技术相结合而產生的。1948年法国的R.卡斯坦製造了第一台电子探针仪。1958年法国首先製造出商品仪器。电子探针仪与扫描电子显微镜在结构上有许多共同处。70年代以来生產的电子探针仪上一般都带有扫描电子显微镜功能﹐有的还附加另一些附件﹐使之除作微区成分分析外﹐还能观察和研究微观形貌﹑晶体结构等。
电子探针仪(图1 电子探针仪示意图 ) 主要包括﹕探针形成系统 (电子枪﹑加速和聚焦部件等)﹑X射线信号检测系统和显示﹑记录系统﹑样品室﹑高压电源和扫描系统以及真空系统。
电子探针的最早应用领域是金属学。对合金中各组成相﹑夹杂物等可作定性和定量分析﹐直观而方便﹐还能较準确地测定元素的扩散和偏析情况。此外﹐它还可用於研究金属材料的氧化和腐蚀问题﹐测定薄膜﹑渗层或镀层的厚度和成分等﹐是机械构件失效分析﹑生產工艺的选择﹑特殊用材的剖析等的重要手段。图2 镁合金中稀土氧化物在晶界析出的电子探针分析 a LaK 图象b CeK图象 c 二次电子象 d MgK﹐CeK﹐LaK线扫描  为镁合金中稀土氧化物在晶界析出的电子探针分析照片。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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