1) Emission electron
发射电子
1.
In this paper,heteroepitaxial diamond films were achieved on Si(100)substrates by emission electron via hot filament chemical vapor deposition.
本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。
2) electron emission
电子发射
1.
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes;
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
2.
Strong electron emission of antiferroelectric ceramic;
反铁电陶瓷的强电子发射特性研究
3.
Study on electron emission from the interaction of slow and highly charged ~(40)Ar~(16+) ions with a Mica surface;
低速高电荷态离子~(40)Ar~(16+)与云母表面作用中的电子发射研究
3) electron field emission
场电子发射
1.
The influence of thermal annealing on the electron field emission characteristics of the AIN coating on Si substrate was investigated.
以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响。
2.
Current research on electron field emission from wide band-gap materials, such as diamond, diamond-like carbon, cubic boron nitride, aluminum nitride and silicon carbide films is reviewed.
介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述 ,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系 ,并讨论了研究中存在的问题 。
3.
The behavior of electron field emission from CVD d iamond films implant ed by nitrogen iron has been studied.
研究了氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射行为 。
4) thermionic emission
热电子发射
1.
The thermionic emission cooling employing hetero structure is a high efficient cooling method.
基于异质结结构热电子发射的热电制冷,是近年来提出的一种高效制冷方法。
2.
Based on the thermionic emission theory of the current density of 4H-SiC Schottky barrier diodes under the forward bias, the calculations for the Schottky barrier height eff and the specific on-resistance R on are presented.
在分析 4H SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上 ,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron。
5) electron field emission
电子场发射
1.
First-principles study of electron field emission from the carbon nanotube with B doping and H_2O adsorption;
掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究
2.
First-principles study of electron field emission from the carbon nanotube with nitrogen doping and H_2O adsorption
氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究
3.
The effects of the thermal annealing on the bonding structure and the electron field emission characteristics of CN_x films were investigated.
结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp2,sp3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究。
6) field electron emission
场电子发射
1.
Preparation and field electron emission of diamond films grown on porous silicon substrates by MW-CVD are studied.
研究了多孔硅衬底微波 CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性 。
2.
Field electron emission measurements of nano-carbon films were also carried out showing the ture on field as low as 1.
进一步的场致发射测试结果显示:此种类毛虫形状纳米级碳薄膜具有场发射大面积大(>4cm~2)、发射点密度高且发射均匀的特征,其场电子发射阈值电场较低(<1。
补充资料：次级电子发射
通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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