1) AlN electronic thin films
AlN电子薄膜材料
2) AlN piezoelectric thin film
AlN压电薄膜
1.
Fabricated the interdigitated electrodes and the circuit elements via the MOS IC processing on AlN piezoelectric thin film, the active surface acoustic wave (SAW) filter was produced and studied, which centre frequency was 320 MHz.
在AlN压电薄膜上(以SiO2/Si为衬底),使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路,制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。
3) thermoelectric films
温差电材料薄膜
1.
Bi2-xSbxTe3 thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition.
采用电化学控电位沉积的方法制备了Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜。
2.
Bi_2Te_(3-y)Se_y thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition on stainless steel and gold substrates.
采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。
4) thin-film electrode materials
薄膜电极材料
1.
Research progress on all solid-state thin-film lithium battery and thin-film electrode materials;
全固态薄膜锂电池及薄膜电极材料研究进展
5) thermoelectric film
温差电材料薄膜
1.
Bi_2Te_(3-y)Se_y thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition on stainless steel substrates.
采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。
2.
Bi2Te3-ySey thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition on stainless steel substrates, and the morphology, composition and structure of the films were characterized by ESEM, EDS and XRD.
采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了表征。
6) thin film TE material
薄膜温差电材料
1.
In the thesis, for the purpose of manufacturing of TE material and characterization of TE material, a set of electrodeposition device and thin film TE material resistivity measurement system are designed.
电沉积作为薄膜温差电材料的一种重要制备方法,日益受到关注,但由于这种方法的应用还处于初始阶段,其配套的制备设备及性能测试设备尚有待开发。
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条