1) TiN/AIN thin film
TiN/AlN薄膜
2) TiN/AlN nano-multilayer
TiN/AlN纳米多层膜
1.
Preparation and ultra micro-hardness of TiN/AlN nano-multilayer deposited by multi-arc ion plating;
多弧离子镀制备TiN/AlN纳米多层膜及其超硬效应
2.
The impulse multi-arc ion plating technique is used to prepare TiN/AlN nano-multilayers.
采用脉冲多弧离子镀技术制备TiN/AlN纳米多层膜,随着调制周期的减小,稳定态六方AlN相逐渐转变成亚稳态立方AlN相,形成以TiN/AlN超晶格结构为主的超硬薄膜。
3) AlN thin film
AlN薄膜
1.
Pulsed KrF excimer laser deposition of AlN thin films;
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
2.
Physical properties and deposition technique of AlN thin films are described.
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。
3.
AlN thin films are promising to be used as insulator for high-temperture and high-power devices in microelectronics fields.
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。
4) AlN thin films
AlN薄膜
1.
Effect of deposition parameters and RTA conditions on electrical properties of AlN thin films;
沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响
2.
AlN thin films with dominant crystalline structure were prepared on Si(111) substrate at low temperature (200℃) with a KrF excimer pulsed laser by varying the deposition conditions.
用KrF准分子脉冲激光在 2 0 0℃的Si(111)基板上通过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具有不同择优取向的AlN薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长的时间不利于AlN相的形成的结论。
5) AlN film
AlN薄膜
1.
Fabrication of a novel SOI-structure with AlN film as buried insulator;
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料
2.
AlN film was deposited on the surface of 1Cr18Ni9 stainless steel by PCVD technique using AlCl_3 as the source of Al.
采用等离子体化学气相沉积 (PCVD)技术 ,以AlCl3作铝源在 1Cr18Ni9不锈钢表面沉积AlN薄膜 ,探讨了不同沉积时间和温度对薄膜硬度的影响 ,并对AlN薄膜的耐蚀性进行了研究。
6) AlN films
AlN薄膜
1.
Influence of sputtering power on depositing AlN films by RF-reactive magnetron sputtering method;
射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响
2.
AlN films have been prepared by direct current-reactive magnetron sputtering method.
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜。
3.
The transmittance of AlN films with different N2 concentration is also discussed.
采用反应磁控溅射的技术,利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。
补充资料：niobium tin superconductor
分子式：
CAS号：
性质：由铌和锡组成的具有超导电性质的材料。铌和锡可生成β（Nb3Sn）、Nb6Sn5和NbSn2三种中间相化合物。它们都具有超导电性。其中Nb3Sn具有最高的超导临界温度Tc=18.05K，上临界磁场Hc=22.5T（4.2K）。临界电流密度Jc约105A/cm2（4.2K,10T）Nb3Sn为Al5型金属间化合物，立方晶系，晶格常数a=529.02～529.16pm。Nb3Sn均相区比较宽，在17%～27%（at）Sn范围。铌锡超导合金质脆，难以加工成材。有扩散法、原位法、等离子喷涂等成材方法，薄膜采用铌和锡的氯化物进行氢还原的气相沉积方法制备。铌锡超导材料已实用化，主要用于超导磁体。
CAS号：
性质：由铌和锡组成的具有超导电性质的材料。铌和锡可生成β（Nb3Sn）、Nb6Sn5和NbSn2三种中间相化合物。它们都具有超导电性。其中Nb3Sn具有最高的超导临界温度Tc=18.05K，上临界磁场Hc=22.5T（4.2K）。临界电流密度Jc约105A/cm2（4.2K,10T）Nb3Sn为Al5型金属间化合物，立方晶系，晶格常数a=529.02～529.16pm。Nb3Sn均相区比较宽，在17%～27%（at）Sn范围。铌锡超导合金质脆，难以加工成材。有扩散法、原位法、等离子喷涂等成材方法，薄膜采用铌和锡的氯化物进行氢还原的气相沉积方法制备。铌锡超导材料已实用化，主要用于超导磁体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条