1) AlN thin films
AlN薄膜
1.
Effect of deposition parameters and RTA conditions on electrical properties of AlN thin films;
沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响
2.
AlN thin films with dominant crystalline structure were prepared on Si(111) substrate at low temperature (200℃) with a KrF excimer pulsed laser by varying the deposition conditions.
用KrF准分子脉冲激光在 2 0 0℃的Si(111)基板上通过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具有不同择优取向的AlN薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长的时间不利于AlN相的形成的结论。
2) AlN films
AlN薄膜
1.
Influence of sputtering power on depositing AlN films by RF-reactive magnetron sputtering method;
射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响
2.
AlN films have been prepared by direct current-reactive magnetron sputtering method.
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜。
3.
The transmittance of AlN films with different N2 concentration is also discussed.
采用反应磁控溅射的技术,利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。
3) AlN thin film
AlN薄膜
1.
Pulsed KrF excimer laser deposition of AlN thin films;
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
2.
Physical properties and deposition technique of AlN thin films are described.
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。
3.
AlN thin films are promising to be used as insulator for high-temperture and high-power devices in microelectronics fields.
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。
4) AlN film
AlN薄膜
1.
Fabrication of a novel SOI-structure with AlN film as buried insulator;
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料
2.
AlN film was deposited on the surface of 1Cr18Ni9 stainless steel by PCVD technique using AlCl_3 as the source of Al.
采用等离子体化学气相沉积 (PCVD)技术 ,以AlCl3作铝源在 1Cr18Ni9不锈钢表面沉积AlN薄膜 ,探讨了不同沉积时间和温度对薄膜硬度的影响 ,并对AlN薄膜的耐蚀性进行了研究。
5) aluminum nitride thin film
AlN薄膜
1.
A new synthesizing aluminum nitride thin film method, which uses activated active ion plating with cathode arc source assisted by electrons bath, was introduced.
介绍了一种应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的新方法 ,研究了N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对合成AlN薄膜质量的影响规律。
6) TiN/AIN thin film
TiN/AlN薄膜
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条