1) amorphous MCT
非晶态碲镉汞
1.
FTIR technology was used to study the optical properties of amorphous MCT films and the absorption coefficient of amorphous MCT films(~8×104cm-1)was obtained.
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe,a-MCT)薄膜的低温生长。
2) mercury cadmium telluride crystal
碲化镉汞晶体
3) HgCdTe
碲镉汞
1.
Morphology Study on HgCdTe Film Grown of MOVEP;
气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
2.
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal;
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
3.
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe;
激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
4) MCT
碲镉汞
1.
Magnetic-field Effect MCT Crystal Composition Distribution;
磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用
2.
The In Bump Growth on the Large Scale MCT IR Device;
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
3.
Study low frequency noise of MCT MW photoconductive detectors by changing background radiation;
改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
5) HgCdTe(MCT)
碲镉汞(MCT)
6) mercury cadmium telluride
碲镉汞
1.
As one of the tunable bandgap semiconductors,mercury cadmium telluride(MCT) is by far the most efficient infrared detectors that operate in a wide wavelength range(from 1 to 25 μm).
作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1～25μm)范围内工作的红外探测器。
2.
Fabrication of mercury cadmium telluride(HgCdTe) devices has always been a challenging task due to sensitive nature of the material.
由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务。
补充资料：碲化镉汞晶体
分子式：
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条