1) Hg_(1-x)Cd_xTe epilayers
碲镉汞外延薄膜
2) HgCdTe film
碲镉汞薄膜
1.
Metalorganic chemical vapour phase deposition (MOCVD) is a very important technique to grow high quality HgCdTe films for fabrication of infrared focal plane arrays (IRFPAs).
文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺 (IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理 ,并选择合适的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。
2.
Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region.
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 。
3) CdTe thinfilm
碲镉薄膜
4) CdZnTe film
碲锌镉薄膜
1.
The LPE CdZnTe films on CdZnTe substrate show good composition and uniformity,good crystal quality.
文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。
5) HgCdTe
碲镉汞
1.
Morphology Study on HgCdTe Film Grown of MOVEP;
气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
2.
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal;
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
3.
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe;
激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
6) MCT
碲镉汞
1.
Magnetic-field Effect MCT Crystal Composition Distribution;
磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用
2.
The In Bump Growth on the Large Scale MCT IR Device;
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
3.
Study low frequency noise of MCT MW photoconductive detectors by changing background radiation;
改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
补充资料：碲化镉汞晶体
分子式：
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条