2) GaN-based white LEDs
GaN基白光LED
1.
In this paper,the current accelerated aging experiment on three groups of GaN-based white LEDs produced on the Al2O3 substrate have been performed at 30 mA、50 mA and 70 mA.
随着老化电流的增大,GaN基白光LED的光输出功率随时间的衰减速率相对较快;随老化时间的加长,30 mA电流驱动下,GaN基白光LED相对光谱中黄光比重先增加再减小。
2.
According to the results,the best rated operating current of GaN-based white LEDs is discussed.
实验研究了恒流驱动条件下,GaN基白光LED的正向电压、发光光谱和发光效率随环境温度的变化情况。
4) high-power GaN-based LED
大功率GaN基LED
1.
A high-power GaN-based LED chip structure fitted for flip-chip was designed, and the Au bumps were fabricated on Si substrate.
设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上。
6) GaN-based
GaN基
1.
Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials;
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
2.
GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays
GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条