1) GaN-based FET
GaN基FET
2) GaN-based
GaN基
1.
Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials;
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
2.
GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays
GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件
3) pure-base
纯基FET理论
4) GaN/Si
Si基GaN
1.
Fabrication of GaN/Si photoconductive detectors;
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。
6) GaN-based material
GaN基材料
1.
Uniformity test of the local optical thickness for GaN-based material;
GaN基材料局域光学厚度均匀性的检测方法
补充资料：场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（fieldeffecttransistor(FET)）
场效应晶体管（FET）是利用输入电压的电场作用控制输出电流的一种半导体器件。与双极晶体管相比，FET有很多优点，主要是：FET是依靠多数载流子工作的器件，所以又称单极晶体管，它没有少子存储效应，适于高频和高速工作，且耐辐射性好；FET的输入阻抗高，实际上不需输入电流，所以在模拟开关电路、高输入阻抗放大器、微波放大器中获得广泛的应用；FET的制造工艺相对比较简单。场效应晶体管可分为结型场效应管（JFET）、肖特基势垒栅场效应管（MESFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）三大类。而JFET和MOSFET又可再分为p沟道和n沟道器件。三类场效应管都有一个半导体材料的沟道（电流通路），沟道两端各有一个电极：一个叫做源极，一个叫做漏极。各种场效应管都有一个施加控制电压或电场的栅极。在FET工作时，栅极电压的变化会引起导电沟道电性能变化，从而控制了源和漏之间的电流。场效应管由于输入阻抗大，噪音小，极限频率高抗辐射能力强和制造工艺简单，它已广泛应用于包括放大及数字电路在内的各种电路中。FET也是集成电路的关键元件之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条