2) GaN laser
GaN激光器
1.
In the next generation of optical disk system,GaN laser and high numerical aperture(NA)objective lens are two key components.
对于下一代光盘系统而言,GaN激光器和高数值孔径(NA)的物镜是关键组件。
3) UV photo sensor based on GaN
GaN基紫外光传感器
4) GaN-based white LEDs
GaN基白光LED
1.
In this paper,the current accelerated aging experiment on three groups of GaN-based white LEDs produced on the Al2O3 substrate have been performed at 30 mA、50 mA and 70 mA.
随着老化电流的增大,GaN基白光LED的光输出功率随时间的衰减速率相对较快;随老化时间的加长,30 mA电流驱动下,GaN基白光LED相对光谱中黄光比重先增加再减小。
2.
According to the results,the best rated operating current of GaN-based white LEDs is discussed.
实验研究了恒流驱动条件下,GaN基白光LED的正向电压、发光光谱和发光效率随环境温度的变化情况。
6) GaN photosensitive devices
GaN光敏器件
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条