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1)  low-dimensional GaN materials
氮化镓低维材料
2)  gallium nitride epitaxial materials
氮化镓外延材料
3)  wide-gap semi-conductor GaN Sic & AlGaN
宽禁带半导体材料氮化镓、碳化硅和铝镓氮
4)  GaAs materials
砷化镓材料
1.
532 nm CW laser induced damage of GaAs materials;
532nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究
5)  GaAs based materials
砷化镓基材料
6)  gallium arsenide epitaxy material
砷化镓外延材料
补充资料:低维材料


低维材料
low-dimensional materials

l微米,线宽约10纳米)中,发现了电子波的量子干涉效应。这种当物体尺寸小到某一特征尺度时,呈现出微观量子力学行为的现象,是介观物理学(mesoscoPic曲ysics)研究的领域。低维材料的探索,无疑可以丰富介观物理学的研究内容;反过来,介观物理学的研究进展,又将促进低维材料的开发和应用。可以预见,随着这些相关学科领域的前进,将会不断揭示出新效应和新原理,研制出概念上全新的低维材料和功能元件。 (熊家炯)低维材料low一dimensional materials维数低于三维的材料,包括二维、一维和零维材料等。人们通常习惯的材料,是在空间x、y和之3个方向均延展到一定宏观尺度的三维固体。但从20世纪80年代起,人类已开始研究和使用低维材料。由于微电子工艺和材料制备技术的发展,微刻蚀技术现已精细到微米以下。利用分子束外延技术可以生长出几个原子层厚度的超薄膜材料。采用扫描隧道显微术,可以获得线宽为几个纳米的细线。微米并不是今天微电子和光电子功能元件的极限尺寸,而是更加微细化。人们还在追求功能元件是由少量分子、甚至单个分子所组成的分子器件。因此,随着功能元件尺寸愈来愈细,人们当然有必要了解和掌握低维材料,研究材料维数减少会带来什么新的性质,这些新性质怎样提供新应用。人类使用材料的精度由微米到纳米,维数由三维到低维,是材料科学与技术发展的又一新标志,它将对当代高科技带来深刻的影响。 二维材料若使材料在任一维度(设为之方向)的尺寸缩小到纳米量级,则此材料成为在x、y方向延展的二维材料。半导体超晶格、童子阱材料是二维材料的典型代表。气相、液相和分子束外延等技术是生长二维材料的有效途径。电子被限制在二维材料的量子阱中,导致新的量子效应的产生。这些效应成为制造新型量子器件的物理基础。质量优异的量子阱材料和多量子阱材料,不仅是优良的激光材料,用它可以制成高性能、大功率半导体激光器,而且也是一种实用的非线性光学材料。例如利用其中的激子机制,可以制成光学双稳器件、光调制器件等。 LB薄膜技术是另一种生长单层或多层单分子薄膜的途径,特别是用以获得有机二维材料。有机分子的二维材料具有良好的光学非线性,可用作光开关元件及光记录介质等。 从原理上讲,暴露于真空中或气体中的表面,或两种介质间的交界面,也是一种二维系统,发生在这种表面和介质分界面上的光电现象和非线性光学效应等,已有相当多的研究结果,可望获得广泛应用。 一维材料若使材料除在之方向缩小之外,还同时在y方向也缩到纳米量级的尺度,便成了一维材料。又称量子线。
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参考词条