1) Hydrogenated gallium nitride cluster
氮化镓氢化物
2) InGaN/GaN
氮镓铟/氮化镓
1.
Investigation on Optical Properties of Different Width InGaN/GaN Quantum Well;
不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究
3) AlGaN/GaN
氮镓铝/氮化镓
4) GaN
[英][ɡæn] [美][gæn]
氮化镓
1.
Synthesis of Nanocrystalline GaN by the Sol-gel Method;
采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体
2.
Fabrication of nanoporous GaN films with AAO masks and ICP etching;
纳米孔氮化镓材料的制备和研究
3.
Structural characterization of high quality GaN nanowires;
高质量氮化镓纳米线的结构表征
5) aluminium gallium nitride alloys
氮化铝镓
6) gallium nitride
氮化镓
1.
In this report,we describe a new route for synthesizing gallium nitride nanowires with high-purity and well crystallization by thermal decomposition reaction of complex GaCl_3 ·NH_3 in NH_3 atmosphere on Si wafers.
报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。
2.
This paper reports the syntheses of nanocrystalline gallium nitride with 30-70 nm by ammonothermal reaction of gallium with ammonia, using lithium as transporting agent in the temperature range of 350-500 ℃.
本工作在 3 5 0～ 5 0 0℃的氨热条件下 ,使用金属锂作矿化剂 ,由金属镓与氨反应合成出了纤锌矿结构的氮化镓纳米晶 ,颗粒尺寸为3 0～ 70nm ,并研究了反应温度和锂含量对合成氮化镓纳米晶的影响 。
3.
Gallium Nitride (GaN) is the most important one of the third generation semiconductors and a promising materials in power microwave, high temperature, optoelectronics, and radiation resistant applications due to its excellent physical properties and chemical stabilities, such as wide band gap, high electron saturated velocity, high breakdown electric field, high power density, etc.
氮化镓(GaN)是近十几年来迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料之一,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件。
补充资料：氮化镓
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条