1) thick gate oxide
厚栅氧
1.
The on-resistance degradations of the p-type lateral extended drain MOS transistor(pLEDMOS) with thick gate oxide under different hot carrier stress conditions are different,which has been experimentally investigated.
文中同时提出了一种改进方法:用场氧代替厚栅氧作为高压pLEDMOS器件的栅氧,MEDICI模拟结果显示该方法可以明显降低/减缓高压pLEDMOS导通电阻的衰退。
2) thickness of gate oxide
栅氧厚度
3) gate-oxide-thickness
栅氧化层厚度
1.
This paper presents a method based on dual-gate-oxide-thickness assignment to reduce the total leakage power dissipation of SRAM in 45nm bulk technology.
提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法。
4) grid thickness
板栅厚度
5) gate-oxide
栅氧
6) zero-thickness grating
零厚度光栅
1.
The method uses the Moiré interferometric device to measure the fracture toughness and employs electrochemical process to etch cross zero- thickness grating directly on the surface of specimen.
利用电化学方法直接在被测试样表面刻蚀零厚度光栅,拓展了高温合金云纹干涉法的研究空间,应用计算机CCD成像系统采集和分析莫尔(Moiré)条纹,测试结果表明云纹干涉的图像质量和测量精度均有提高。
补充资料：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
CAS：36366-93-5
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条